杨德仁：半导体材料学家

　　杨德仁，1964年4月出生，江苏扬州人。半导体材料学家。中国科学院院士，浙江大学材料科学与工程学院教授、博士生导师，半导体材料研究所所长，硅材料国家重点实验室(浙江大学)学术委员会主任，浙大宁波理工学院院长。

　　1985年毕业于浙江大学金属材料专业，1991年获半导体材料工学博士学位。1997年起担任浙江大学教授，2000年获聘教育部长江学者计划特聘教授，曾在日本、德国和瑞典访问工作，2017年当选中国科学院院士。

　　长期从事半导体硅材料研究，提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料。