武尔桢：半导体专家

　　武尔桢，1920年出生于山东潍坊，半导体专家。中国电子工业界半导体技术带头人和第一个半导体研究室和研究所的创建人。先后组织并主持研制出了中国第一只硅超高频低噪声晶体管、第一块p-n结隔离的单块集成电路和首种64千位动态随机 存取存储器的超大规模集成电路，以及中国第一台60万伏高能离子注入机和高压单晶炉。在培养人才方面也作出了相应的贡献。

　　1952年，工业战线急需人材，武尔桢奉调到天津广播器材厂担任厂长，1964年研制出了6类9种锗器件，并为当时中国自行研制的第一台全晶体管化的电子计算机(108乙型)提供了配套所必需的两种开关晶体管，翌年即1965年，他们又研制出了中国第一支硅超高频低噪声晶体管、第一支硅台面高频大功率晶体管和第一块p-n结隔离的单块集成电路，此外还有22种不同型号的硅器件。1969年底，开始研究要有60万伏的高能离子注入机，1975年研制成功，如今，这台有三层楼房高的机器仍在正常运转，还在发挥着尚未终结的关键作用。被称为第四代半导体集成电路产品的VLSI(超大规模集成电路)，国外是在70年代中期，在经历了中小规模与大规模集成电路技术的演变而发展起来的。它是半导体技术、电子技术、冶金技术、化工技术、精密机械技术、计算机辅助设计与分析测试技术以及超微细加工技术等多学科交叉融合的结晶。武尔桢选择的突破口是在当时被标志为的一个重要台阶的代表产品——64千位动态随机存取存储器。这个由武尔桢等经过周密调研后作出的决策，在当时既符合基于自力更生的国情，又瞄准了国际上先进水平，遂被上级主管部门列为中国“七五”科技发展规划中的一个项目。1986年5月13日，即约经半年的时间，中国首批64KDRAM样品就被他们研制了出来，成为当时正在北京召开的全国“六五”科技成果表彰大会的一项重大新闻，并被大会视为水平最高的成果之一。