史密斯1930年出生于美国纽约,在宾夕法尼亚大学获学士学位,在芝加哥大学获硕士和博士学位,1959年博士毕业后,史密斯加入了美国贝尔实验室。一开始,他的研究方向是半导体的电学性质和能带结构。
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